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Declare warfare TSMC, Samsung 7nm EUV process mass production this year


在去年年底,三星宣布将在2020年使用4nm GAA工艺。此前,有业内观察人士对此曾提出过质疑,如Garner副总裁Samuel Wang对2022年之前量产GAA技术表示怀疑,而现在他已经打消了疑虑,并表示三星可能会比预期更早地将GAA芯片投入生产……

Jan. 15, 2019, Jan. 15, 2019 – 

三星在不久前发布的2018年Q4季度财报指引显示三星当季盈利会大幅下滑。盈利暴跌的主要原因就是三星智能手机业务低迷,而最关键的是存储芯片降价,这个趋势将一直持续到今年上半年。

为弥补存储芯片降价周期带来的影响,三星强化了代工业务。要想赶超台积电,就要抢在台积电之前量产先进工艺了。根据三星高管表示,他们在今年下半年将量产7nm EUV工艺,而在2021年则会量产更加先进的3nm GAA工艺。

在去年年底,三星宣布将在2020年使用4nm GAA工艺。此前,有业内观察人士对此曾提出过质疑,如Garner副总裁Samuel Wang对2022年之前量产GAA技术表示怀疑,而现在他已经打消了疑虑,并表示三星可能会比预期更早地将GAA芯片投入生产。

只不过,三星对于关于3nm GAA工艺何时量产的说法似乎并没有一个统一的表态。三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung曾在去年12月在IEDM会议上表示三星已经完成了3nm工艺技术的性能验证,并在进一步完善该工艺,目标在2020年大规模量产。

3nm GAA工艺不论是在2020年还是2021年量产,现在都还有点远。三星今年主推7nm EUV工艺,预计今年下半年量产——尽管三星去年就宣布7nm EUV工艺能够量产了,实际上此前所说的量产是风险试产,远没有达到规模量产的地步,今年年底大规模量产才能真正落地。

根据三星官方新闻稿称,三星7nm EUV工艺将于今年下半年正式量产。台积电在此之前也宣布了7nm EUV工艺上今年量产。值得注意的是,两家虽然同为7nm的工艺制程,但所采用的技术确完全不一样。台积电的7nm采用的是传统光刻技术,性能提升相对不大,但在量产上能够夺得先机。

三星的7nm工艺采用了先进的EUV(远紫外区光刻)技术,这种技术优点在于已经接近性能极限,缺点是量产时间会比较晚。

随着硬件工艺制程越来越向1nm逼近,原有的半导体光刻工艺技术已经出现了越来越明显的局限性。制程技术如果想要有更高的突破,并且在未来7nm、5nm、3nm制程节点上有所发展,那么就必须要有新的制程技术。

对照10纳米FinFET制程,三星的7纳米LPP EUV工序较少、良率较高,而且面积效率提高40%,性能提高10%,功耗降低35%。因此,三星在7nm制程上无疑领先了不少,EUV极紫外光刻技术也将是下一代、甚至未来几代制程工艺的主要技术。

这样看来,在7nm EUV工艺上,三星并没有进度优势。不过,三星在7nm EUV工艺上有自己开发的光罩检查工具,而目前市场上的其他厂商暂时还没有类似的商业工具。

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