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三星计划2021年推出GAA技术3纳米工艺,超越台积电、英特尔

Samsung plans to launch GAA technology 3 nanometer process in 2021, surpassing TSMC and Intel

作者:TechNews, May. 17, 2019 – 

在先进工艺的发展,台积电与三星一直有着激烈的竞争,虽然台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米工艺,不过三星也不甘示弱,预计透过新技术的研发,在 2021 年推出 3 纳米工艺的产品。根据三星表示,其将推出的 3 纳米工艺产品将比当前的 7 纳米工艺产品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,且芯片的面积也再减少 45%。

根据外媒报导,三星 14 日于美国加州所举办的晶圆制造论坛(Samsung Foundry Forum)宣布,目前三星正在开发一项名为"环绕闸极"(gate all around,GAA)的技术,这个被称为当前 FinFET 技术进化版的生产技术,能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造,使其更小更快。三星指出,预计 2021 年透过这项技术所推出的 3 纳米工艺技术,将能使得三星在先进工艺方面与台积电及英特尔进行抗衡,甚至超越。而且,能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题,以延续摩尔定律的持续发展。

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而根据国际商业战略咨询公司(International Business Strategies)首席技术官Handel Jones 表示,目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在 GAA 的技术发展,三星大约领先台积电一年,英特尔方面则落后三星 2~3 年。三星也强调,GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术,人工智能及其他运算的进步,以确保未来包括智能手机、手表、汽车、以及智能家庭产品都能够有更好的效能。S8WEETC-电子工程专辑

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之前三星就宣布将在未来 10 年内投资1,160 亿美元发展非内存项目的半导体产业,以成为全球半导体产业霸主。透过 GAA 技术发展的 3 纳米工艺技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐,以获取更多晶圆生产商机。

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