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格罗方德宣布22FDX工艺设计营收突破20亿美元大关

GF announces 22FDX process design revenue breaks through $2 billion


来源: cnBeta , Jul. 10, 2018 – 

尽管当前英特尔和格罗方德在努力突破 14-nm FinFET 工艺,但并不是所有芯片都需要如此高的数字逻辑性能。有鉴于此,格罗方德这样的纯晶圆代工厂,提供了一系列的工艺技术来满足客户的设计需求。近日,该公司宣布其 22FDX(22 纳米全耗尽绝缘硅片)工艺已经在超过 50 款产品上使用,客户设计营收也突破了 20 亿美元的大关。

据悉,22FDX 可提供近似于FinFET 的性能和能效表现、同时成本与 28-nm 平面技术相当。

格罗方德称,该工艺非常适合在同一模具上集成逻辑和射频组件。此外,22FDX 晶体管可通过软件,在性能与功耗间灵活地管理与权衡。

22FDX 同样基于绝缘体上硅(SOI)工艺,而不是通过大量的硅来提高其性能和功耗特性,满足为目标客户提供应用范围内的需求。

有鉴于此,22FDX 在物联网设备的语音/多媒体处理芯片业务上取得的设计胜利,也就不足为奇了。

格罗方德指出,其客户包括 SoC 设计公司瑞芯微(Rockchip)、物联网蜂窝连接提供商 Riot Micro、驾驶辅助系统提供商 Dream Chip、定制无线与人工智能供应商 SingularityAIX 等。

即便如此,22FDX 仍只是相关制程家族的其中一员,因为格罗方德早就在准备名叫 12FDX 的下一代 SOI 技术了。

其表示,与 22FDX 相比,12FDX 可根据客户的需求(设计目标),大小规模和功耗性能都更优。

在性能提升 15%、功耗降低 50% 的同时,还可保持异构 IP、宽操作电压、以及柔性晶体管偏置。

最终,随着物联网的持续增长、以及英特尔 22FEL 等竞争技术的迭代,低功耗与集成异构 SoC 会成为该领域的下一个热点。

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